题目：SiC低维纳米结构生长控制及其电子发射特性

主讲：杨为佑

时间：10月17日16:00

地点：材料楼304

主办：材料学院

主讲简介：杨为佑，宁波工程学院研究员，2005年11月毕业于清华大学材料科学与工程系，获工学博士学位，2006年3月于宁波工程学院材料工程研究所工作至今。长期从事无机非金属微纳米结构的可控合成、性能及其器件研发。现主持承担国家自然科学基金2项，宁波市国际合作项目1项，完成宁波市自然科学基金1项。迄今已在国际知名期刊上发表SCI论文38篇（第一和通讯作者24 篇）。申请国家发明专利12项，已授权3项。2008年应邀为美国科学出版社《纳米科学与技术百科全书》撰写其中一个章节。获第十三届(2007年)浙江省青少年英才三等奖，宁波市“4321”人才工程第二层次培养人才。

主讲内容：介绍SiC低维纳米材料的研究背景和实验方案，通过对其晶体生长和掺杂控制的研究，实现SiC低维纳米结构生长的同时，达到均匀掺杂效果；明显改善了SiC低维纳米材料的场发射性能，可为其在真空电子和显示等领域的应用提供理论依据。

欢迎广大师生参加！